P 溝道 MOSFET 采用空穴流作為載流子,其遷移率小于 N 溝道 MOSFET 中的電子流。就功能而言,二者的主要區(qū)別在于 P 溝道 MOSFET 需要從柵極到源極的負電壓 (VGS) 才能導通,而 N 溝道 MOSFET 則需要正 VGS 電壓。這使得 P 溝道 MOSFET 成為高邊開關的理想之選。器件設計簡潔,有利于在有限空間內(nèi)打造低壓驅(qū)動應用和非隔離 POL 產(chǎn)品。P 溝道 MOSFET 特性的一大優(yōu)勢在于可簡化柵極驅(qū)動技術,這通??山档驼w成本。